Все дипломы > Медицина > Добавить в закладки
Коллеги автора


Оставь голос:
Вы следите за научными мировыми открытиями?
Изредка о чем-то узнаю
Внимательно слежу
Нет - мне не интересно


Процитируем:
...« Приведена терминология, используемая в биосенсорном анализе. Дано краткое определение типам преобразователей, составляющих основу биосенсоров. Представлены характеристики био»...
подробнее

Медицина


Часто просматривают следующие страницы:


Френсис Бекон:

"Невежды презирают науку, необразованные люди восхишаются ею, тогда как мудрецы пользуются ею"



2.1. Sensing mechanism

The physical structure of an FET-type biosensor for detecting DNA and protein molecules is very similar to that of a MOSFET such that the operating principle can be explained on the basis of SAM and MOSFET operation theory. The formation of a SAM on gold is based on the interaction of thiol on gold. Figure 1 shows a comparison of the MOSFET and FET-type biosensor structure. The normal metal or polysilicon gate electrode of the MOSFET is replaced by the reference electrode in an electrolyte solution and Au which has a chemical affinity with thiol on the top of the gate insulator. A gate voltage is applied to the gate insulator via the reference electrode and the electrolyte solution for the proper operation of the sensor. An electrochemical potential is then developed on the surface of the Au with variations of the biomolecular charge and the capacitance generated by DNA and protein molecules. These results can be measured as a shift in drain current or threshold voltage. The threshold voltage, VT, and the current-to-voltage characteristics of MOSFET are as follows.

where ΦMS is the metal-semiconductor work function difference, Co is the gate oxide capacitance per unit area, ΦF is the Fermi potential of the semiconductor bulk, Qo is the charge per unit area present at  the interface and bulk of oxide, Qd is the space charge per unit area within the depletion region of the semiconductor, IDS is the drain to source current, µ is the surface mobility of minority carriers in the semiconductor, W and L are the width and length of the gate, respectively, VGS is the gate to source voltage, and VDS is the drain to source voltage.

Since an FET-type biosensor replaced the metal gate with a reference electrode and Au layer, the expressions for the threshold voltage VT1 and the current to voltage characteristics should be altered from that of MOSFET as follows.

where ΦRL is the interface potential between the reference electrode and liquid, φ(charge) is the interface potential between DNA and protein molecules and the gate electrode, and Cgeff is the capacitance per unit area of the gate insulator including the DNA probe and gate oxide.

9.Приложение к данному Разделу

Рис.4.1.1. Конструкция кислородного электрода.

Рис. 4.1.2. Типичные вольт-амперные зависимости кислородного электрода типа Кларка.

Рис. 4.1.3. Временная зависимость сигналов ферментного сенсора при введении в измерительную кювету различных концентраций этанола (кюветный способ измерения, показаны сигналы для концентраций этанола 0.25, 0.5 и 1.0 мМ).

Рис. 4.1.4. Схематическое представление окисления субстратов мембраносвязанными дегидрогеназами бактерий G. oxydans.

Рис.4.1.5. Амперометрический биосенсор на основе перекисного электрода для регистрации глюкозы.

Рис. 4.1.6. Схематическое представление электрода, полученного матричной печатью. 1 – измерительный

На правах рекламы
. Замена коллектора, автоэлектрика. |

Главы - параграфы


Так говорят:
Ну что я могу сказать? :) От одного только выражен...
Автор: ираида
Биосенсорный метод анализа химических соединений в...
Автор: Иришка
Данное учебное пособие содержит так много хорошего...
Автор: ромка
Я и в школе химию особенно не понимала, и теперь-т...
Автор: коля
Только что дочитал последнюю главу. Вообще замечат...
Автор: паша


Наука России - Наше будущее!